M1 EliteSiC MOSFET

onsemi M1 EliteSiC MOSFET具有1200V和1700V额定电压。  onsemi M1 MOSFET设计用于满足要求可靠性和效率的大功率应用需求。 M1 EliteSiC MOSFET采用多种封装选项，包括D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LD和裸片。

结果: 27
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
数据表
53库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
数据表
1工厂有库存
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC