EPC2305

EPC
65-EPC2305
EPC2305

制造商:

说明:
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm

寿命周期:
Mouser 的新产品
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¥-.--
总价:
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封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

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数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥72.8737 ¥72.87
¥49.7087 ¥497.09
¥36.5555 ¥3,655.55
¥36.1487 ¥18,074.35
¥31.5948 ¥31,594.80
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥29.4478 ¥88,343.40
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
EPC
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-7
N-Channel
1 Channel
150 V
133 A
2.2 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
22 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
商标: EPC
配置: Single
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品: Power Transistor
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 31.200 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2305 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is available in a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management. The EPC2305 features 150V drain-source breakdown voltage (continuous) VDS and 2.2mΩ typical and 3mΩ maximum drain-source on resistance RDS(on). This power resistor from EPC provides efficient operation in many topologies, thanks to the ultra-low capacitance and zero reverse recovery (QRR) of the eGaN® FET. Typical applications for the EPC2305 include phones, notebooks, gaming PCs, power tools, home robotics, e-mobility, and solar.