BSH205G2 20V P 沟道沟槽式 MOSFET

恩智浦 P 沟道沟槽式 MOSFET 是 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装式 (SMD)塑料封装的增强模式场效应晶体管(FET)。它采用沟槽式 MOSFET 技术， 提供低阈值电压并可以快速开关。MOSFET 适合运用于 继电器驱动器、高速线路驱动器及开关电路等应用中。
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结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Nexperia MOSFET SOT23 P-CH 20V 2.6A
数据表
2,351库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.6 A 118 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 4.6 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT23 P-CH 20V 2.3A
数据表
38,699预期 2027/2/8
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.3 A 170 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 6.5 nC - 55 C + 150 C 890 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT23 P-CH 20V 2.3A
数据表
29,979预期 2027/2/8
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 10,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.3 A 170 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 6.5 nC - 55 C + 150 C 890 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel