宽禁带SiC器件

安森美 (onsemi) 宽禁带 (WBG) 碳化硅 (SiC) 器件采用全新技术,与硅器件相比,可提供更出色的开关性能和更高的可靠性。这些器件可实现多种系统优势,包括:提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸以及降低成本。安森美的SiC产品系列包括650V和1200V二极管、650V和1200V IGBT以及SiC二极管功率集成模块 (PIM)、1200V MOSFET和SiC MOSFET驱动器,以及符合AEC-Q100标准的器件。

半导体类型

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结果: 52
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onsemi 碳化硅肖特基二极管 1200V 10A AUTO SIC SBD 3,449库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi 碳化硅肖特基二极管 TranSic_HV 855库存量
最低: 1
倍数: 1


onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 10A SIC SBD G EN1.5 2,766库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 10A SIC SBD G EN1.5 1,374库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800


onsemi 碳化硅肖特基二极管 1200V 20A AUTO SIC SBD 309库存量
最低: 1
倍数: 1


onsemi 碳化硅肖特基二极管 1200V 20A AUTO SIC SBD 348库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 12A SIC SBD 804库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC TO263 SBD 10A 1 200V 3,631库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC TO220 SBD 8A 650V 1,312库存量
最低: 1
倍数: 1


onsemi 碳化硅肖特基二极管 1200V SiC SBD 30A 511库存量
最低: 1
倍数: 1


onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 10A SIC SBD 1,233库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 10A SIC SBD GEN1.5 1,989库存量
最低: 1
倍数: 1


onsemi 碳化硅肖特基二极管 1200V 10A SIC SBD 282库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC TO220 SBD 10A 650V 747库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi 碳化硅肖特基二极管 SiC Diode 650V 4A 2,602库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 6A SIC SBD 3,123库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 10A SIC SBD 2,582库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

onsemi 碳化硅肖特基二极管 1200V SiC SBD 15A 173库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi 碳化硅肖特基二极管 Auto SiC Schottky Diode, 650 V 476库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 8A SIC SBD 725库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

onsemi 碳化硅肖特基二极管 Auto SiC Schottky Diode, 650 V 702库存量
最低: 1
倍数: 1


onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A 1,182库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 10A SIC SBD 642库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 6A SIC SBD 688库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

onsemi 栅极驱动器 SIC MOSFET DRIVER 9,994库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000