宽禁带SiC器件

安森美 (onsemi) 宽禁带 (WBG) 碳化硅 (SiC) 器件采用全新技术,与硅器件相比,可提供更出色的开关性能和更高的可靠性。这些器件可实现多种系统优势,包括:提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸以及降低成本。安森美的SiC产品系列包括650V和1200V二极管、650V和1200V IGBT以及SiC二极管功率集成模块 (PIM)、1200V MOSFET和SiC MOSFET驱动器,以及符合AEC-Q100标准的器件。

半导体类型

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结果: 52
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS

onsemi 碳化硅肖特基二极管 1200V 10A AUTO SIC SBD 3,484库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi 栅极驱动器 SIC MOSFET DRIVER 11,603库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000


onsemi 碳化硅肖特基二极管 1200V SiC SBD 40A 125库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 10A SIC SBD G EN1.5 1,443库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 800


onsemi 碳化硅肖特基二极管 1200V 20A AUTO SIC SBD 311库存量
最低: 1
倍数: 1


onsemi 碳化硅肖特基二极管 1200V 20A AUTO SIC SBD 348库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 6A SIC SBD 3,133库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 12A SIC SBD 804库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi 碳化硅肖特基二极管 1200V SiC SBD 20A 205库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi 碳化硅肖特基二极管 Auto SiC Schottky Diode, 650 V 480库存量
最低: 1
倍数: 1


onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 10A SIC SBD GEN1.5 2,121库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC TO263 SBD 10A 1 200V 3,633库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 800

onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 10A SIC SBD 2,597库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC TO220 SBD 8A 650V 1,316库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi 碳化硅肖特基二极管 1200V 20A AUTO SIC SBD 1,062库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 800


onsemi 碳化硅肖特基二极管 1200V 10A SIC SBD 383库存量
最低: 1
倍数: 1


onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 30A SIC SBD 620库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi 碳化硅肖特基二极管 Auto SiC Schottky Diode, 650 V 706库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC TO263 SBD 20A 1 200V 1,135库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 800

onsemi 碳化硅肖特基二极管 SiC Diode 650V 4A 2,602库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000


onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 30A SIC SBD 867库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC TO220 SBD 10A 650V 757库存量
最低: 1
倍数: 1


onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A 1,182库存量
最低: 1
倍数: 1


onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 10A SIC SBD G EN1.5 937库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

onsemi 碳化硅肖特基二极管 1200V SiC SBD 15A 175库存量
最低: 1
倍数: 1