CoolSiC™ 400V G2碳化硅MOSFET

英飞凌CoolSiC™ 400V G2碳化硅MOSFET  非常适合硬开关和谐振开关拓扑结构。英飞凌400V MOSFET专为AI服务器电源单元 (PSU) 的AC/DC阶段而开发,也非常适合太阳能和储能系统等应用。CoolSiC MOSFET基于先进的沟槽半导体工艺,经过优化可实现最低应用损耗和最高运行可靠性。

晶体管类型

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,440库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,800

MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,388库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,800

MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 213库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 230库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 376库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,352库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,800

MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 681库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,276库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 736库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 943库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 968库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 895库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 996库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,444库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,950库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,850库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
1,800预期 2026/2/26
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,800

MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
1,800预期 2026/2/26
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,800

MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
239预期 2026/2/26
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
240预期 2026/2/26
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
236预期 2026/2/26
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
240在途量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
240预期 2026/2/26
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
240预期 2026/2/26
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
240在途量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel