CoolSiC™ 400V G2碳化硅MOSFET

英飞凌CoolSiC™ 400V G2碳化硅MOSFET  非常适合硬开关和谐振开关拓扑结构。英飞凌400V MOSFET专为AI服务器电源单元 (PSU) 的AC/DC阶段而开发,也非常适合太阳能和储能系统等应用。CoolSiC MOSFET基于先进的沟槽半导体工艺,经过优化可实现最低应用损耗和最高运行可靠性。

结果: 10
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 681库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 400 V 68 A 36.5 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,276库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 400 V 111 A 19.1 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V 62 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 736库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 400 V 133 A 14.4 mOhms 4.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 943库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 400 V 111 A 21.7 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V - 55 C + 175 C 341 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 968库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 400 V 50 A 52.5 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V 26 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 895库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 400 V 43 A 64.5 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V - 55 C + 175 C 150 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 996库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 400 V 144 A 16.3 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,444库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 400 V 68 A 32.1 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,950库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 400 V 50 A 52.5 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V 26 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,850库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 400 V 43 A 64.5 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement