CoolMOS™超级结MOSFET

英飞凌CoolMOS™ 功率晶体管具有快速开关SJ MOSFET的所有优势。与CoolMOS 7代结合使用，英飞凌继续设定价格、性能和质量基准。

结果: 190
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
9库存量
2,000预期 2027/2/11
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
3,000库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.5 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4 nC - 50 C + 150 C 13 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
516库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 750 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
178库存量
240预期 2026/2/16
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 183 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
151库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 101 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 164 nC - 55 C + 150 C 291 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
197库存量
240预期 2026/2/16
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 95 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
288库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
数据表
215库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
130库存量
240预期 2026/5/21
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 76 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 121 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
174库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
73库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
1,494库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 7.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
328库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 50 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
538库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 770 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
数据表
196库存量
4,500预期 2026/7/23
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 490 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 43.1 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
15库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
231库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 50 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
37,680在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
977预期 2026/4/16
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
2,999预期 2026/3/6
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 95 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
2,990预期 2026/7/16
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 40 C + 150 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
3,000在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
6,500在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
906预期 2026/5/21
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
1,601预期 2026/5/14
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube