Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFET 的性价比属同类最佳，简单易用，能够应对各种应用的挑战。700V和800V CoolMOS P7功率MOSFET开发用于反激式低功耗SMPS应用，包括适配器和充电器、照明、音频SMPS、AUX和工业电源。600V CoolMOS P7功率MOSFET不仅设计用于小功率应用，而且还用于大功率SMPS应用，如太阳能逆变器、服务器、电信和电动汽车充电站。P7 MOSFET经过彻底优化，用于硬开关和软开关拓扑结构。

特性

120V to 950V drain-source breakdown voltage
24mΩ to 4.5Ω R_DS(ON) drain-source resistance

1.5A to 101A continuous drain current
0.5W to 291W power dissipation

600V CoolMOS P7 MOSFET

Infineon 600V CoolMOS P7 MOSFET是第7代器件，采用例如高压功率MOSFET的革命性技术。该款晶体管按照超级结 (SJ) 原理进行设计，由Infineon Technologies首创。600V CoolMOS P7将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合。600V P7具有极低的振铃倾向、针对硬huanxiang的优异的体二极管耐受性，以及出色的ESD能力。极低的开关损耗和导通损耗使开关应用变得更高效、更紧凑、散热更佳。

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700V CoolMOS P7 MOSFET

Infineon Technologies 700V CoolMOS™ P7 MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术。该款700V晶体管按照超级结 (SJ) 原理进行设计，由Infineon首创。最新的700V CoolMOS P7是一个经过优化的平台，专为消费市场的成本敏感型应用量身定制，如充电器、适配器、照明、电视等。

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800V CoolMOS P7 MOSFET

Infineon 800V CoolMOS P7 MOSFET结合了同类最佳性能和易用性两大优势。P7在800V超级结技术方面树立了新基准。该晶体管具有高达0.6%的效率增益和2°C至8°C的较低MOSFET温度。

该晶体管具有经过优化的器件参数，如 EOSS 和 Qg 下降 50% 以上，Ciss 和 Coss 也降低。CoolMOS P7 还通过较低的开关损耗和更好的 DPAK RDS(on) 产品实现较高的功率密度设计。CoolMOS P7非常适合用于低功耗SMPS应用。

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950V CoolMOS™ P7 SJ MOSFET

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ P7 SJ MOSFET采用950V超级结技术，将同类最佳性能和出色的易用性相结合。这些MOSFET带有集成的齐纳二极管静电放电 (ESD) 保护。集成二极管提高了ESD耐受性，可降低与ESD相关的产量损失，并提供出色的易用性。这些MOSFET具有3V VGS(th)，窄容差仅为±0.5V，因此易于驱动和设计。该款950V SJ MOSFET具有低DPAK RDS(on)，可实现更高密度，同时减少BOM、降低组装成本。

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