结果: 5
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Central Semiconductor MOSFET 10A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
数据表
487库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 29.5 W Enhancement Tube
Central Semiconductor MOSFET 13.8A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
数据表
429库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.8 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 30 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement Tube
Central Semiconductor MOSFET 29A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
数据表
429库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Central Semiconductor MOSFET 4.7A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
数据表
474库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4.7 A 990 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 9.7 nC - 55 C + 150 C 22.5 W Enhancement Tube
Central Semiconductor MOSFET 7.3A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
数据表
500库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7.3 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 17 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Tube