标准N沟道HiPerFET™功率MOSFET

IXYS标准N沟道HiPerFET™ 功率MOSFET设计用于硬开关和谐振模式应用。这些器件采用快速内在二极管，具有低栅极电荷和出色的耐用性。这些器件采用许多标准行业封装（包括隔离型）。

结果: 8
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.50 Rds
数据表
442库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds
数据表
22库存量
1,450预期 2026/5/27
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET IXFA3N120 TRL
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 800
倍数： 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Reel
IXYS MOSFET IXFA3N120 TRR
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 800
倍数： 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Reel
IXYS MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 25
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 70 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 70 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 38A
数据表
无库存交货期 39 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 330 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 44A
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 330 nC - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HiPerFET Tube