FGH4L75T65MQDC50

Name: onsemi FGH4L75T65MQDC50
Brand: onsemi
SKU: 863-FGH4L75T65MQDC50
Price: 88.21 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-FGH4L75T65MQDC50

制造商编号：

FGH4L75T65MQDC50

制造商：

onsemi

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 75A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)

数据表:

FGH4L75T65MQDC50 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解onsemi FGH4L75T65MQDC50详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	SiC
封装 / 箱体:	TO-247-4
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.45 V
栅极/发射极最大电压:	- 30 V, 30 V
在25 C的连续集电极电流:	110 A
Pd-功率耗散:	385 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	FGH4L75T65MQDC50
封装:	Tube
商标:	onsemi
集电极最大连续电流 Ic:	110 A
栅极—射极漏泄电流:	400 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	30
子类别:	IGBTs
商标名:	EliteSiC

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

FGH4L75T65MQDC50 数据表

Material Composition Disclosure

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

FGH4L75T65MQDC50场终止型第四代中速IGBT

安森美（onsemi） FGH4L75T65MQDC50场终止型第4代中速IGBT具有低导通和开关损耗，性能极佳。FGH4L75T65MQDC50采用场终止型第4代IGBT技术和第1.5代碳化硅肖特基二极管技术，采用TO-247 4引脚封装。该IGBT晶体管用于在各种应用中实现高效率运行，特别是图腾柱无桥PFC和逆变器。