结果: 44
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
数据表
1,122库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
数据表
606库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
数据表
425库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
数据表
650库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
7,838库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 76 A 230.8 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
数据表
288库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
数据表
347库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package
数据表
198库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 120 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
数据表
305库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 100 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
数据表
1,583库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
数据表
348库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
数据表
420库存量
480预期 2026/9/17
最低： 1
倍数： 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
数据表
758库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
数据表
338库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
数据表
350库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 3pin package
数据表
41库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
数据表
176库存量
240预期 2026/7/16
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
数据表
450库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
数据表
201库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 208 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
数据表
232库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 249 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
数据表
182库存量
240预期 2026/11/26
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 341 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
数据表
317库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 210 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
数据表
39库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube