IGBT7分立器件

英飞凌IGBT7分立器件是第七代TRENCHSTOP™ IGBT，采用微型沟槽技术制造。先进的技术提供了无与伦比的控制和性能，从而显著减少了损耗，提高了效率，并增加了应用中的功率密度。

结果: 45
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
数据表
84库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package
数据表
208库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
数据表
229库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 140 A 429 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
数据表
337库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 210 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
数据表
71库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
数据表
97库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
数据表
110库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
数据表
68库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 338 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
数据表
82库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
数据表
121库存量
最低： 1
倍数： 1

Si IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
数据表
207库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
1,511库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 60 A 188 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube


Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 50 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
2,550库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 428 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
数据表
251库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 357 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
354库存量
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 36 A 176 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
453库存量
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 55 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
380库存量
240预期 2026/3/5
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 357 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
2库存量
720预期 2026/5/21
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 333 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
数据表
479预期 2026/3/2
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
605在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 273 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube