SuperFET® V MOSFET

安森美SuperFET® V MOSFET是第五代高压超级结(SJ)MOSFET。这些器件具有同类最佳的品质因数(FOM)(RDS(ON)· QG 和RDS (ON)· EOSS),不仅可提高重负载,还可提高轻负载效率。600V SuperFET V MOSFET通过降低导通和开关损耗提供设计优势,同时支持极端MOSFET dVDS/dt额定值(120V/ns)。SuperFET V MOSFET快速系列有助于最大限度地提高系统效率和功率密度。SuperFET V MOSFET Easy Drive系列兼具出色的开关性能,同时又不牺牲硬开关和软开关拓扑的易用性。典型应用包括电信、云系统和工业。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装

onsemi MOSFET SUPERFET5 EASY 99MOHM T 327库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SF5 600V EASY ZENER 280MO 2,351库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 17.9 nC - 55 C + 170 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi MOSFET SUPERFET5 EASY 120MOHM 783库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET5 FAST 41MOHM T 527库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 57 A 41 mOhms - 30 V, 30 V 4.3 V 108 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SF5 600V FAST 61MOHM FOR
3,000预期 2026/6/12
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 61 mOhms 30 V 4.3 V 73.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape