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onsemi SuperFET® V MOSFET

安森美SuperFET® V MOSFET是第五代高压超级结（SJ）MOSFET。这些器件具有同类最佳的品质因数（FOM）（RDS(ON)· QG 和RDS (ON)· EOSS)，不仅可提高重负载，还可提高轻负载效率。600V SuperFET V MOSFET通过降低导通和开关损耗提供设计优势，同时支持极端MOSFET dVDS/dt额定值（120V/ns)。SuperFET V MOSFET快速系列有助于最大限度地提高系统效率和功率密度。SuperFET V MOSFET Easy Drive系列兼具出色的开关性能，同时又不牺牲硬开关和软开关拓扑的易用性。典型应用包括电信、云系统和工业。

特性

  • 低开关损耗
  • 100% 经雪崩测试
  • 漏极-源极电压：600VDSS
  • 650V（TJ = 150°C时）
  • 良好的系统效率
  • 符合RoHS指令
  • NTHL041N60S5H 功率MOSFET：
    • 快速开关性能，具有坚固的体二极管
    • 超低栅极电荷（Qg)：108nC（典型值）
    • 低有效输出电容：643 pF（典型值）
    • RDS(on) ：32.8mΩ（典型值）
  • NTHL099N60S5 功率MOSFET：
    • 优化的电容
    • 超低栅极电荷（Qg）：48nC（典型值）
    • 低时间相关输出电容：642 pF（典型值）
    • RDS(on) ：79.2mΩ（典型值）

应用

  • 电信
  • 服务器电源
  • 云系统
  • UPS
  • 工业电源
  • 电动汽车充电器

数据手册

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物料编号 数据表 Id-连续漏极电流 Pd-功率耗散 Qg-栅极电荷 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 通道数量 晶体管极性 技术 安装风格 RoHS - 贸泽
NTHL099N60S5 NTHL099N60S5 数据表 33 A 184 W 48 nC - 30 V, 30 V 4 V 600 V 99 mOhms 1 Channel N-Channel Si Through Hole E
NTD280N60S5Z NTD280N60S5Z 数据表 13 A 89 W 17.9 nC - 20 V, 20 V 4 V 600 V 280 mOhms 1 Channel N-Channel Si SMD/SMT Y
NTHL120N60S5Z NTHL120N60S5Z 数据表 28 A 160 W 40 nC - 20 V, 20 V 4 V 600 V 120 mOhms 1 Channel N-Channel Si Through Hole Y
NTHL041N60S5H NTHL041N60S5H 数据表 57 A 329 W 108 nC - 30 V, 30 V 4.3 V 600 V 41 mOhms 1 Channel N-Channel Si Through Hole E
NTMT061N60S5H NTMT061N60S5H 数据表 41 A 250 W 73.6 nC 30 V 4.3 V 600 V 61 mOhms 1 Channel N-Channel Si SMD/SMT Y
发布日期: 2021-08-27 | 更新日期: 2025-10-06