CGHV31500F1

MACOM
941-CGHV31500F1
CGHV31500F1

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz,Long-pulse, Flange

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MACOM
产品种类: GaN 场效应晶体管
发货限制：
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RoHS: N
Screw Mount
440226-2
N-Channel
150 V
500 mA
- 40 C
+ 75 C
418 W
商标: MACOM
最大漏极/栅极电压: - 2.7 V
最大工作频率: 3.1 GHz
最小工作频率: 2.7 GHz
输出功率: 500 W
封装: Tray
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 1
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: GaN HEMT
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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
3A001.b.3.a.2

CGHV31500F1 2.7GHz至3.1GHz 500W氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Wolfspeed CGHV31500F1 2.7GHz至3.1GHz氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有高效率和高增益，专为2.7GHz至3.1GHz S波段雷达频段设计。氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有扩展脉冲能力，可满足新兴的雷达架构趋势。

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