QPD1006

Name: Qorvo QPD1006
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1006
Price: 9166.25 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

772-QPD1006

制造商编号：

QPD1006

制造商：

Qorvo

说明：

GaN 场效应晶体管 450W 50V 1.2-1.4GHz GaN IMFET

数据表:

QPD1006 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Qorvo
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	NI-50CW
晶体管极性:	N-Channel
Id-连续漏极电流:	14 A
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
Pd-功率耗散:	445 W
商标:	Qorvo
配置:	Single
开发套件:	QPD1006EVB3
增益:	17.8 dB
最大漏极/栅极电压:	145 V
最大工作频率:	1.4 GHz
最小工作频率:	1.2 GHz
湿度敏感性:	Yes
输出功率:	450 W
封装:	Waffle
产品类型:	GaN FETs
系列:	QPD1006
工厂包装数量:	36
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	HEMT

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USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

QPD1006 GaN射频IMFET晶体管

Qorvo QPD1006 GaN射频内部匹配FET (IMFET) 晶体管是一款450W GaN SiC高电子迁移率晶体管 (HEMT)。QPD1006晶体管的工作频率范围为1.2 GHz至1.4 GHz，电源轨为50 V。此器件可支持脉冲和连续波 (CW) 操作。Qorvo QPD1006晶体管是GaN IMFET，完全匹配至50Ω，采用行业标准气腔封装。该场效应晶体管晶体管非常适合用于军事和民用雷达。