SCT3x第三代SiC沟槽MOSFET

ROHM SCT3x第三代SiC沟槽MOSFET采用专属的沟槽式栅极结构，与平面型SiC MOSFET相比，其导通电阻降低了50%，输入电容降低了35%。这就大大降低了开关损耗并加快了开关速度，提高了效率，同时降低了各种设备的功率损耗。这些MOSFET提供650V和1200V两个版本。