NVTFS9D6P04M8L P沟道MOSFET
onsemi NVTFS9D6P04M8L P沟道MOSFET是-40V、-64A单P沟道功率MOSFET，具有低RDS（on）和低电容特性，可最大限度地降低传导和驱动器损耗onsemi NVTFS9D6P04M8L MOSFET采用3.3mm×3.3mm小尺寸设计，结构紧凑。这些MOSFET已通过AEC-Q101认证，并符合PPAP要求。典型应用包括电池保护、电机控制、电源开关、开关电源、负载开关和电磁阀驱动器。
onsemi NVTFS9D6P04M8L P沟道MOSFET是-40V、-64A单P沟道功率MOSFET，具有低RDS（on）和低电容特性，可最大限度地降低传导和驱动器损耗onsemi NVTFS9D6P04M8L MOSFET采用3.3mm×3.3mm小尺寸设计，结构紧凑。这些MOSFET已通过AEC-Q101认证，并符合PPAP要求。典型应用包括电池保护、电机控制、电源开关、开关电源、负载开关和电磁阀驱动器。