onsemi NVTFS9D6P04M8L P沟道MOSFET
onsemi NVTFS9D6P04M8L P沟道MOSFET是-40V、-64A单P沟道功率MOSFET，具有低RDS（on）和低电容特性，可最大限度地降低传导和驱动器损耗onsemi NVTFS9D6P04M8L MOSFET采用3.3mm×3.3mm小尺寸设计，结构紧凑。这些MOSFET已通过AEC-Q101认证，并符合PPAP要求。典型应用包括电池保护、电机控制、电源开关、开关电源、负载开关和电磁阀驱动器。
特性
- 占位面积小（3.3mm×3.3mm），设计紧凑
- 低导通电阻（RDS(on)），可最大限度地降低导通损耗
- 低电容，可最大限度地降低驱动器损耗
- NVTFWS9D6P04M8L- 可湿性侧翼选项
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令
应用
- 反向电池保护
- 开关电源
- 电源开关
- 电磁驱动器
- 电机控制
- 负载开关
发布日期: 2020-03-02
| 更新日期: 2024-05-22