M2 EliteSiC MOSFET

安森美M2 EliteSiC MOSFET提供650VMHz、750VMHz和1200V电压选项。安森美M2 MOSFET有多种封装可供选择,包括D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD和TO-247-4LD。MOSFET在设计和实施方面提供了灵活性。此外,M2 EliteSiC MOSFET具有+22V/-8V的最大栅极-源极电压、低RDS(on) 和长短路耐受时间(SCWT)。

结果: 46
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 1,552库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 59 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 725库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 105 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 424库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 105 mOhms - 5 V, + 18 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 390库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 163 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 643 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 448库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 19 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 398库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 66 A 32 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 445库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM 366库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 5 V, + 18 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 74 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 8库存量
900预期 2026/6/24
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 163 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 643 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 36库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS 60MOHM 900V 475库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 189库存量
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET 20MOHM 900V 207库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 503 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET 20MOHM 900V 279库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 112 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 384库存量
最低: 1
倍数: 1

TO-247-4 EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 444库存量
最低: 1
倍数: 1

TO-247-4 EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 864库存量
最低: 1
倍数: 1
TO-247-4 EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 68库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 454库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM 14库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 10 V, + 19 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 750V

TO-247-4 EliteSiC