NTBGSxDxN15MC和NVBGSxDxN15MC N沟道MOSFET

安森美 (onsemi) NTBGSxDxN15MC和NVBGSxDxN15MC N沟道MOSFET具有150V漏极-源极电压 (V(BR)DSS) 和低开关噪声/EMI。这些器件具有低QG 和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗，还具有低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗。NTBGSxDxN15MC和NVBGSxDxN15MC MOSFET采用无铅、无卤/无BFR、符合RoHS指令的D2PAK7封装。典型应用包括电动工具、电池供电吸尘器、无人航空载具 (UAV)/无人机、材料处理、电池管理系统 (BMS)/存储、家居自动化、工业叉车和牵引控制系统。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
onsemi MOSFET Power MOSFET, 150 V, 6.5 mohm, A, Single N-Channel, D2PAK7
数据表
1,229库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 150 V 121 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 57 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Power MOSFET, 150 V, 4.1 mohm, 185A, Single N-Channel, D2PAK7
数据表
1,441库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 150 V 185 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 88.9 nC - 55 C + 175 C 316 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel