IGKA23S101SXTSA1

Name: Infineon IGKA23S101SXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGKA23S101SXTSA1
Price: 16.03 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

726-IGKA23S101SXTSA1

制造商编号：

IGKA23S101SXTSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 100 V G3 in WLCSP 0.9x0.9, 185 m

寿命周期:

新产品:

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数据表:

IGKA23S101SXTSA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SG-UFWLB-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	2.2 A
Rds On-漏源导通电阻:	230 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	6.5 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.9 V
Qg-栅极电荷:	0.2 nC
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2.2 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolGaN
技术:	GaN
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
产品:	Transistors
产品类型:	GaN FETs
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	CoolGaN Transistor
零件号别名:	IGKA23S101S SP006154174

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数据表

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合规代码

ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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