CoolGaN™ 100V G3晶体管

英飞凌CoolGaN™ 100V G3晶体管是采用紧凑型外壳的常关、增强模式 (e-mode) 功率晶体管。这些晶体管具有低导通电阻，使这些器件成为在苛刻的高电流和高电压应用中要有可靠性能的理想选择。CoolGaN晶体管 设计改善了热管理。典型应用包括音频放大器解决方案、光伏、电信基础设施、电动出行、机器人和无人机。

结果: 5
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
数据表
3,840库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 38 A 7 mOhms 6.5 V 2.9 V 6.1 nC - 40 C + 150 C 23 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
数据表
3,399库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 23 A 11 mOhms 6.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 MV GAN DISCRETES
数据表
2,250库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

SMD/SMT PG-VSON-4 HEMT 1 Channel 100 V 23 A - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 MV GAN DISCRETES
数据表
5,415库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

SMD/SMT PG-VSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 MV GAN DISCRETES
数据表
1,225库存量
10,000预期 2026/2/23
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

SMD/SMT PG-TSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN