SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.

结果: 48
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
配置
If - 正向电流
Vrrm - 重复反向电压
Vf - 正向电压
Ifsm - 正向浪涌电流
Ir - 反向电流
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Panjit 碳化硅肖特基二极管 1200V SiC Schottky Barrier Diode
数据表
1,500库存量
最低： 1
倍数： 1

Tube
Panjit 碳化硅肖特基二极管 1200V SiC Schottky Barrier Diode
数据表
1,500库存量
最低： 1
倍数： 1

Tube
Panjit 碳化硅肖特基二极管 1200V SiC Schottky Barrier Diode
数据表
124库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 1.2 kV 1.5 V 560 A 5 uA - 55 C + 175 C SiC Gen.1 Tube
Panjit 碳化硅肖特基二极管 650V SiC Schottky Barrier Diode
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 2,400
倍数： 800
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Single 6 A 650 V 1.5 V 320 A 2 uA - 55 C + 175 C Reel
Panjit 碳化硅肖特基二极管 650V SiC Schottky Barrier Diode
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000

SMD/SMT TO-252AA-3 Single 6 A 650 V 1.5 V 320 A 2 uA - 55 C + 175 C SiC Gen.1 Reel
Panjit 碳化硅肖特基二极管 650V SiC Schottky Barrier Diode
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000

SMD/SMT TO-252AA-3 Single 8 A 650 V 1.5 V 480 A 3 uA - 55 C + 175 C SiC Gen.1 Reel
Panjit 碳化硅肖特基二极管 650V SiC Schottky Barrier Diode
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1,500
倍数： 30

Through Hole TO-247AD-3 Dual 15 A 650 V 1.5 V 800 A 9.7 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化硅肖特基二极管 650V SiC Schottky Barrier Diode
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 2,000
倍数： 2,000

Through Hole TO-220AC-2 Single 6 A 650 V 1.5 V 320 A 2 uA - 55 C + 175 C SiC Gen.1 Tube
Panjit 碳化硅肖特基二极管 1200V SiC Schottky Barrier Diode
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 2,000
倍数： 2,000

Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 1.2 kV 1.5 V 640 A 6 uA - 55 C + 175 C SiC Gen.1 Tube
Panjit 碳化硅肖特基二极管 650V SiC Schottky Barrier Diode
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 2,000
倍数： 2,000

Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 550 A 3 uA - 55 C + 175 C SiC Gen.1 Tube
Panjit 碳化硅肖特基二极管 650V SiC Schottky Barrier Diode
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 2,000
倍数： 2,000

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.5 V 640 A 2.5 uA - 55 C + 175 C SiC Gen.1 Tube
Panjit 碳化硅肖特基二极管 1200V SiC Schottky Barrier Diode
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 2,000
倍数： 2,000

Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.5 V 880 A 15 uA - 55 C + 175 C SiC Gen.1 Tube
Panjit 碳化硅肖特基二极管 650V SiC Schottky Barrier Diode
数据表

Reel
Panjit 碳化硅肖特基二极管 1200V SiC Schottky Barrier Diode
数据表

Reel
Panjit 碳化硅肖特基二极管 650V/8A Through Hole Silicon Carbide Schottky Barrier Diode
数据表

Through Hole ITO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 480 A 3 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化硅肖特基二极管 650V/10A Through Hole Silicon Carbide Schottky Barrier Diode
数据表

Through Hole ITO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 560 A 3 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化硅肖特基二极管 650V SiC Schottky Barrier Diode
数据表

Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 392 A - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化硅肖特基二极管 650V SiC Schottky Barrier Diode
数据表

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 696 A 400 nA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化硅肖特基二极管 650V SiC Schottky Barrier Diode
数据表

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.5 V 539 A 400 nA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化硅肖特基二极管 650V SiC Schottky Barrier Diode
数据表

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 904 A 2.9 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化硅肖特基二极管 650V SiC Schottky Barrier Diode
数据表

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.5 V 584 A 500 nA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化硅肖特基二极管 650V SiC Schottky Barrier Diode
数据表

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.3 V 1 kA 2.1 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化硅肖特基二极管 650V SiC Schottky Barrier Diode
数据表

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.5 V 696 A 400 nA - 55 C + 175 C Tube