FCMT360N65S3

onsemi
863-FCMT360N65S3
FCMT360N65S3

制造商：

说明：
MOSFET Easy Drive 650V 10A 360 mOhm

数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PQFN-4
N-Channel
1 Channel
650 V
10 A
360 mOhms
- 30 V, 30 V
4.5 V
18 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 最小值: 6 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 11 ns
系列: SuperFET3
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 34 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
单位重量: 156.066 mg
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

FCMT360N65S3 SUPERFET® III Easy-Drive

安森美半导体FCMT360N65S3 SUPERFET® III Easy-Drive是一款高电压超级结 (SJ) MOSFET，采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术经过量身定制，可最大限度降低导通损耗，提供出色的开关性能以及承受极端dv/dt比。Easy-Drive技术有助于管理EMI问题，并可简化设计实施。

SuperFET® III MOSFET

安森美(onsemi) SuperFET® III MOSFET是高压超结 (SJ) N沟道MOSFET，旨在满足电信、服务器、电动汽车 (EV) 充电器和太阳能产品的高功率密度、系统效率和超高可靠性要求。此系列器件拥有出色的可靠性、低电磁干扰、超高的效率和卓越的热性能，是高性能应用的理想选择。除高性能外，SuperFET III MOSFET还通过丰富的封装选项为产品设计师提供高度的灵活性，特别是在尺寸受限的设计中。

库存量: 2,518

库存：
2,518 可立即发货
生产周期：
45 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥44.0926 ¥44.09
¥22.9164 ¥229.16
¥20.9276 ¥2,092.76
¥18.4416 ¥9,220.80
¥17.4585 ¥17,458.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥17.4585 ¥52,375.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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