NTBG023N065M3S

Name: onsemi NTBG023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG023N065M3S
Price: 89.52 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTBG023N065M3S

制造商编号：

NTBG023N065M3S

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S

寿命周期:

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数据表:

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	¥101.1576	¥101.16
	¥70.1391	¥701.39
	¥55.5056	¥5,550.56
	¥52.1156	¥26,057.80
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
	¥52.1156	¥41,692.48

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	40 A
Rds On-漏源导通电阻:	33 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	69 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	263 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	9.6 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	SiC MOSFETS
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	15 ns
系列:	NTBG023N065M3S
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
技术:	SiC
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	35 ns
典型接通延迟时间:	11 ns

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数据表

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合规代码

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTBG023N065M3S 23 mΩ EliteSiC MOSFET

安森美 (onsemi) NTBG023N065M3S 23m Ω EliteSiC MOSFET采用M3S平面技术，用于快速开关应用，采用D2PAK-7L封装。此MOSFET具有650V漏极-源极电压、40A连续漏极电流、263W功率耗散以及216A脉冲漏极电流。NTBG023N065M3S MOSFET集成了超低栅极电荷和高速开关MOSFET，具有低电容 (Coss = 153pF)。此MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C，100%经过雪崩测试。NTBG023N065M3S MOSFET不含卤素，符合RoHS指令，享有7a豁免。典型应用包括开关模式电源 (SMPS)、太阳能逆变器、UPS、能量存储和电动汽车充电基础设施。

NTBG025N065SC1 19mohm碳化硅MOSFET

安森美 (onsemi) NTBG025N065SC1 19mΩ碳化硅MOSFET采用 D2PAK-7L封装，运行速度快，坚固耐用。安森美 (onsemi) NTBG025N065SC1器件的介电击穿场强度达10倍之高，电子饱和速度达2倍之高。这些MOSFET还具有3倍的能量带隙和3倍的导热性。所有安森美 (onsemi) 碳化硅MOSFET包括符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能的选项，专门设计用于汽车和工业应用并符合相应标准。