NTBG023N065M3S

onsemi
863-NTBG023N065M3S
NTBG023N065M3S

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S

寿命周期:
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数据表:
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库存量: 680

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单价:
¥-.--
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¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥94.5471 ¥94.55
¥65.5965 ¥655.97
¥55.5056 ¥5,550.56
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
¥51.867 ¥41,493.60

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
650 V
40 A
33 mOhms
- 8 V, + 22 V
4 V
69 nC
- 55 C
+ 175 C
263 W
Enhancement
EliteSiC
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 9.6 ns
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: SiC MOSFETS
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 15 ns
系列: NTBG023N065M3S
工厂包装数量: 800
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NTBG023N065M3S 23 mΩ EliteSiC MOSFET

安森美 (onsemi) NTBG023N065M3S 23m Ω EliteSiC MOSFET采用M3S平面技术，用于快速开关应用，采用D2PAK-7L封装。 此MOSFET具有650V漏极-源极电压、40A连续漏极电流、263W功率耗散以及216A脉冲漏极电流。NTBG023N065M3S MOSFET集成了超低栅极电荷和高速开关MOSFET，具有低电容 (Coss = 153pF)。此MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C，100%经过雪崩测试。NTBG023N065M3S MOSFET不含卤素，符合RoHS指令，享有7a豁免。典型应用包括开关模式电源 (SMPS)、太阳能逆变器、UPS、能量存储和电动汽车充电基础设施。

NTBG025N065SC1 19mohm碳化硅MOSFET

安森美 (onsemi)  NTBG025N065SC1 19mΩ碳化硅MOSFET采用  D2PAK-7L封装，运行速度快，坚固耐用。安森美 (onsemi)  NTBG025N065SC1器件的介电击穿场强度达10倍之高，电子饱和速度达2倍之高。这些MOSFET还具有3倍的能量带隙和3倍的导热性。所有  安森美 (onsemi)  碳化硅MOSFET包括符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能的选项，专门设计用于汽车和工业应用并符合相应标准。

储能解决方案

onsemi储能系统（ESS）以不同的形式储存来自煤炭、核能、风能和太阳能等各种能源的电力，包括电池（电化学）、压缩空气（机械）和熔盐（热能）。该解决方案的重点是与太阳能逆变器系统相连的蓄电池储能系统。

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