M3P EliteSiC MOSFET

onsemi M3P EliteSiC MOSFET是一款高压应用解决方案，最大额定电压为1200V。 onsemi M3P MOSFET采用D2PAK7、TO-247-3LD和TO-247-4LD封装/该MOSFET具有多种功能，可满足各种设计要求。 EliteSiC MOSFET具有+22V/-10V最大栅极-源极电压，改良寄生电容，包括Coss、Ciss和Crss。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
onsemi 碳化硅MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14 mohm, 1200 V, M3P, D2PAK-7L
数据表
967库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 104 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.63 V 337 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, TO-247-4L
数据表
81库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 127 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.63 V 329 nC - 55 C + 175 C 686 W Enhancement EliteSiC