NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET

安森美 (onsemi) NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET是高性能650V 碳化矽（SiC）MOSFET，具有23mΩ典型RDS(on)和出色的散热和开关特性。这些MOSFET具有低有效输出电容、高效率、快速切换和超低栅极电荷。NxT2023N065M3S MOSFET支持高达72A连续漏极电流，并且可在-55°C至175°C宽温度范围内工作。这些MOSFET符合RoHS标准，不含卤素，封装在紧凑型T2PAK-7L封装中。NVT2023N065M3S EliteSiC MOSFET符合AEC-Q101标准，是EV/HEV平台车载充电器和DC-DC转换器等车规级应用的理想选择。NTT2023N065M3S EliteSiC MOSFET适用于SMPS、太阳能逆变器、UPS、储能系统和EV充电基础设施。

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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式


onsemi 碳化硅MOSFET EliteSiC, 23 mohm, 650 V, M3S,T2PAK
数据表
551库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT T2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 72 A 32.6 mOhms - 8 V, 22 V 4 V 74 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET EliteSiC, 23 mohm, 650 V, M3S,T2PAK automotive grade
数据表
555库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT T2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 72 A 32.6 mOhms - 8 V, 22 V 4 V 74 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement