RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR AEC-Q101 IGBT

ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR AEC-Q101场终止沟槽型IGBT是10µs SCSOA(短路安全工作区)保证绝缘栅极双极晶体管,适合用于汽车和工业应用中的通用逆变器。RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR具有低导通损耗,有助于减小尺寸,提高效率。这些器件采用原始沟槽栅极和薄晶圆技术。这些技术有助于实现低集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)),同时降低开关损耗。这些IGBT可在各种高压和大电流应用中进一步节能。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 封装
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1200V 15A TRNCH 871库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Automotive Field Stop Trench IGBT 112库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube