PMVxx P 沟道沟槽式 MOSFET

恩智浦 P 沟道沟槽式 MOSFET 是采用小型 SOT23 (SMD) 塑料封装的增强模式场效应晶体管。它们采用沟槽式 MOSFET 技术,提供低阈值电压并可以非常快的速度开关。这些 MOSFET 适合运用于继电器驱动器、 高速线路驱动器、低侧负载开关及开关电路等应用中。
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结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Nexperia MOSFET SOT23 P-CH 20V 3.6A 30,635库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 48 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 7.7 nC - 55 C + 150 C 1.096 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PMV33UPE/SOT23/TO-236AB 1,932库存量
3,000预期 2027/2/8
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.3 A 30 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 14.7 nC - 55 C + 150 C 980 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT23 P-CH 20V 2.5A 22,741库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 77 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT23 P-CH 20V 3.6A
5,904预期 2027/2/8
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.6 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 1.096 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel