UF4C/SC 1200 V Gen 4 SiC FET

onsemi UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC FET是一个高性能系列,具有业界最佳的性能指标。UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC FET是电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、可再生能源、储能、电焊机、UPS和感应加热应用中主流800V总线架构的理想选择。Gen 4系列提供23mΩ 至70mΩ 选项,该系列基于独特的共源共栅配置,其中高性能SiC JFET与共源共栅优化的Si-MOSFET共同封装,产生标准的栅极驱动SiC器件。这一特性可实现灵活的设计,无需改变栅极驱动电压,轻松取代硅IGBT、硅FET、SiC FET或硅超级结器件。

结果: 11
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/23MOSICFETG4TO247-4 768库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-3 678库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO263-7 747库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO263-7 513库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO263-7 692库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO247-3 674库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO247-4 416库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-4 81库存量
600预期 2026/7/20
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET UF4C120053B7S 200库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET UF4C120070B7S 200库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO247-4 2库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET