iS20M5R5S1H-13

Name: iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1H-13
Brand: iDEAL Semiconductor
SKU: 25-IS20M5R5S1H-13
Price: 60.54 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

25-IS20M5R5S1H-13

制造商编号：

iS20M5R5S1H-13

制造商：

iDEAL Semiconductor

说明：

MOSFET MOSFET N-CH 200V 148A D2PAK-7L

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

iS20M5R5S1H-13 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1H-13详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	iDEAL Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-7L
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	200 V
Id-连续漏极电流:	148 A
Rds On-漏源导通电阻:	5.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.1 V
Qg-栅极电荷:	110 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	300 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SuperQ
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	iDEAL Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	4.7 ns
正向跨导 - 最小值:	97 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6.6 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	47.3 ns
典型接通延迟时间:	21.6 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

iS20M5R5S1H-13 数据表 (PDF)

合规代码

ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

iS20M5R5S1H SuperQ™ N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1H SuperQ™ N-Channel Power MOSFET is engineered for high-efficiency SMPS and motor drives. This MOSFET features R_DS(on) and switching charge (Q_SW), minimizing heat dissipation at both full and partial loads. The iS20M5R5S1H power MOSFET delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust D2PAK-7L package. This MOSFET offers high Short-Circuit Withstand Capability (SCWC) and easier paralleling with ±0.5V gate threshold. Typical applications include motor control, secondary-side synchronous rectifiers, boost converters, and SMPS control FETs.

特色产品

IDEAL SEMICONDUCTOR

iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

了解更多的信息

IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

了解更多的信息

iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

了解更多的信息

iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

Features low switching losses, Q_SW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

了解更多的信息

iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET

Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

了解更多的信息

库存量: 140

库存：: 140 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 12 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥68.4102	¥68.41
	¥48.138	¥481.38
	¥38.9624	¥3,896.24
	¥34.6571	¥17,328.55
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥32.7587	¥32,758.70
	¥27.798	¥55,596.00

iS20M5R5S1H-13

制造商： iDEAL Semiconductor

说明： MOSFET MOSFET N-CH 200V 148A D2PAK-7L

规格

文件 (1)

数据表

产品与贸易合规

更多信息

iS20M5R5S1H SuperQ™ N-Channel Power MOSFET

特色产品 IDEAL SEMICONDUCTOR

库存量: 140

定价 (含13% 增值税)

快速查看

出现意外错误。

制造商：

iDEAL Semiconductor

说明：

MOSFET MOSFET N-CH 200V 148A D2PAK-7L

特色产品

IDEAL SEMICONDUCTOR