iS20M5R5S1H-13

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

25-IS20M5R5S1H-13

制造商编号：

iS20M5R5S1H-13

制造商：

iDEAL Semiconductor

说明：

MOSFET MOSFET N-CH 200V 148A D2PAK-7L

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

iS20M5R5S1H-13 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1H-13详情

发货提醒：

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	iDEAL Semiconductor
产品种类:	MOSFET
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-7L
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	200 V
Id-连续漏极电流:	148 A
Rds On-漏源导通电阻:	5.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.1 V
Qg-栅极电荷:	110 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	300 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SuperQ
封装:	Reel
商标:	iDEAL Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	4.7 ns
正向跨导 - 最小值:	97 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6.6 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	47.3 ns
典型接通延迟时间:	21.6 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

iS20M5R5S1H-13 数据表 (PDF)

合规代码

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

iS20M5R5S1H SuperQ™ N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1H SuperQ™ N-Channel Power MOSFET is engineered for high-efficiency SMPS and motor drives. This MOSFET features R_DS(on) and switching charge (Q_SW), minimizing heat dissipation at both full and partial loads. The iS20M5R5S1H power MOSFET delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust D2PAK-7L package. This MOSFET offers high Short-Circuit Withstand Capability (SCWC) and easier paralleling with ±0.5V gate threshold. Typical applications include motor control, secondary-side synchronous rectifiers, boost converters, and SMPS control FETs.