CGHV14800F

Name: MACOM CGHV14800F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV14800F
Price: 12022.21 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

941-CGHV14800F

制造商编号：

CGHV14800F

制造商：

MACOM

说明：

GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt

数据表:

CGHV14800F 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	MACOM
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	440117
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	24 A
Vgs th-栅源极阈值电压:	- 3.8 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 100 C
商标:	MACOM
开发套件:	CGHV14800F-TB
增益:	14 dB
最大工作频率:	1.4 GHz
最小工作频率:	1.2 GHz
输出功率:	800 W
封装:	Tray
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	10
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 :	- 10 V to 2 V
单位重量:	71 g

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数据表

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ECCN:: EAR99

CGHV14800 GaN HEMT

Wolfspeed CGHV14800F 800W GaN（氮化镓）HEMT（高电子迁移率晶体管）专门设计用于实现高效率、高增益和高带宽能力。CGHV14800F GaN HEMT非常适合用于1.2GHz至1.4GHz、L频带雷达放大器应用，例如空中交通管制 (ATC) 雷达、天气雷达、穿透雷达、反导弹系统雷达、目标跟踪雷达和远程监视雷达。CGHV14800F GaN HEMT的正常工作电压为50V，通常提供大于65%的漏极效率。该器件采用陶瓷/金属法兰型440117封装。