双N通道80V汽车用功率MOSFET
安森美半导体双N通道80V汽车用功率MOSFET采用5mm x 6mm扁平引线封装，非常适合紧凑高效的设计。该80V器件具有6.9mΩ RDS(on)（漏源导通电阻），可最大限度降低导通损耗。该MOSFET包括可湿性侧翼选项，用于增强光学检测。该器件符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能，因此适合用于汽车应用。
安森美半导体双N通道80V汽车用功率MOSFET采用5mm x 6mm扁平引线封装，非常适合紧凑高效的设计。该80V器件具有6.9mΩ RDS(on)（漏源导通电阻），可最大限度降低导通损耗。该MOSFET包括可湿性侧翼选项，用于增强光学检测。该器件符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能，因此适合用于汽车应用。