onsemi 双N通道80V汽车用功率MOSFET
安森美半导体双N通道80V汽车用功率MOSFET采用5mm x 6mm扁平引线封装，非常适合紧凑高效的设计。该80V器件具有6.9mΩ RDS(on)（漏源导通电阻），可最大限度降低导通损耗。该MOSFET包括可湿性侧翼选项，用于增强光学检测。该器件符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能，因此适合用于汽车应用。
特性
- 6.9mΩ RDS(ON)（漏源电阻）
- 5mm x 6mm扁平引线紧凑型设计
- SMD/SMT安装方式
- 74A连续漏极电流
- 20V VGS（栅极-源极）
- 2V VGS（栅极-源极阈值）
- 80V VDS（漏源击穿）
- 32nC Qg（栅极电荷）
- 90W，3.1W PD（功耗）
- 22ns下降时间
- 34ns上升时间
- 关断延迟：52ns（典型值）
- 接通延迟：15ns（典型值）
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 符合RoHS指令
- 工作温度范围：-55°C至+175°C
应用
- 反向电池保护
- 开关电源
- 电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、H桥等）
- 用于ABS、燃油喷射的电磁阀驱动器
- 针对EPS、雨刮器、风扇、座椅等的电机控制
- 用于ECU、底盘、车身的负载开关
发布日期: 2019-10-25
| 更新日期: 2024-02-14