IXTQ34N65X2M和IXTQ48N65X2M X2级功率MOSFET

IXTQ34N65X2M和IXTQ48N65X2M X2级功率MOSFET具有650V漏源击穿电压和34A或48A连续漏极电流。IXTQ34N65X2M和IXTQ48N65X2M X2级功率MOSFET是N通道增强模式的耐雪崩器件,工作温度范围为-55°C至+150°C。典型应用包括开关模式和谐振模式电源、直流-直流转换器、激光驱动器等等。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
IXYS MOSFET TO3P 650V 34A N-CH X2CLASS 无库存交货期 27 周
最低: 300
倍数: 30

Si Through Hole TO-3PFP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 54 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO3P 650V 48A N-CH X2CLASS 无库存交货期 27 周
最低: 300
倍数: 30

Si Through Hole TO-3PFP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 76 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement HiPerFET Tube