CG2H40xx和CG2H30xx GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Wolfspeed /Cree CG2H40xx和CG2H30xx GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 采用28V导轨式电源供电。CG2H40xx和CG2H30xx晶体管是面向各种射频和微波应用的通用型宽带解决方案。这些高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有高效率、高增益和高带宽，非常适合用于线性和压缩放大器电路。CG2H40xx和CG2H30xx晶体管可采用各种封装，包括螺丝固定、法兰封装、焊接封装、丸剂式封装以及2引脚法兰封装。典型应用包括宽带放大器、蜂窝基础设施和雷达。
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT
数据表
309库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440223 N-Channel 125 V 18 A - 3.8 V - 40 C + 150 C 150 W
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
数据表
815库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3.8 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
数据表
5库存量
1,920在途量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3.8 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
数据表
1,285在途量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 2.7 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT
数据表
57库存量
30预期 2026/8/25
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440224 N-Channel 120 V 12 A - 3.8 V - 40 C + 150 C