采用D2-PAK封装的UF3SC高性能碳化硅FET

Qorvo UF3SC高性能碳化硅FET采用D2-PAK-7L (7引脚Kelvin封装），基于独特的“共源共栅”电路配置，具有出色的反向恢复特性。此 电路配置包括一个与Si MOSFET共同封装的常开SiC JFET，以打造常闭SiC FET器件。UF3SC FET具有标准栅极驱动特性，支持真正的 “直接替换” Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超级结器件。这些高性能碳化硅FET的最高工作温度为175°C，低栅极电荷为43nC，典型阈值电压为5V。典型应用包括 电信和服务器电源、电机驱动器、感应加热和工业电源。