汽车级 MDmesh V 功率 MOSFET

STMicroelectronics 汽车级 MDmesh™ V 功率 MOSFET 是业界首款采用 TO-247 封装、通过 AEC-Q101 汽车认证的 650V MOSFET。 650V 额定电压能够在存在高压尖峰时提供更高的安全系数，有助于增强汽车电源和控制模块的可靠性。该器件具有低至  0.032Ω 的导通电阻 (RDS(on))，结合紧凑的 TO-247 封装，可提高系统能效和功率密度。 栅极电荷 (Qg) 和输入电容也极低，因此具有出色的  Qg x RDS(on) 品质因数 (FOM) 及优异的开关性能和效率。
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)
数据表
23库存量
267在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 24 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 203 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement AEC-Q100 MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5
数据表
1,200预期 2026/3/9
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 710 V 46 A 41 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 142 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube