NXVF6532M3TG01

onsemi
863-NXVF6532M3TG01
NXVF6532M3TG01

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解onsemi NXVF6532M3TG01详情

库存量: 46

库存：
46 可立即发货
生产周期：
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥206.5414 ¥206.54
¥168.9915 ¥1,689.92
¥149.3069 ¥14,930.69
25,000 报价

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
APM-16
N-Channel
4 Channel
650 V
31 A
44 mOhms
- 8 V, + 22 C
4 V
58 nC
- 55 C
+ 175 C
65.2 W
Enhancement
商标: onsemi
配置: Quad
下降时间: 9.2 ns
正向跨导 - 最小值: 12 S
封装: Tube
产品: MOSFETs
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 6 ns
系列: NXVF6532M3TG01
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 4 N-Channel
类型: Half Bridge
典型关闭延迟时间: 33.2 ns
典型接通延迟时间: 8.4 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H桥功率MOSFET

安森美 (onsemi) NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H桥功率MOSFET模块专为汽车及工业环境中要求严苛的功率转换应用而设计。安森美 (onsemi) NXVF6532M3TG01采用先进的碳化硅（SiC）技术，具备卓越的效率、快速开关能力和强大的热性能。 该模块集成四个32mΩ 的SiC MOSFET，采用H桥配置，极其适合车载充电器（OBC）、直流-直流转换器及电动汽车（EV）动力总成系统应用。   该器件采用紧凑型APM16封装，集成温度传感功能，支持大功率密度及可靠的热管理。  NXVF6532M3TG01符合AEC-Q101/Q200及AQG324认证要求，在严苛工作环境下可确保汽车级的可靠性与性能。 

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。