NXVF6532M3TG01

Name: onsemi NXVF6532M3TG01
Brand: onsemi
SKU: 863-NXVF6532M3TG01
Price: 180.07 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NXVF6532M3TG01

制造商编号：

NXVF6532M3TG01

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge

寿命周期:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	APM-16
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	4 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	31 A
Rds On-漏源导通电阻:	44 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 22 C
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	58 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	65.2 W
通道模式:	Enhancement
商标:	onsemi
配置:	Quad
下降时间:	9.2 ns
正向跨导 - 最小值:	12 S
封装:	Tube
产品:	MOSFETs
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	6 ns
系列:	NXVF6532M3TG01
子类别:	Transistors
技术:	SiC
晶体管类型:	4 N-Channel
类型:	Half Bridge
典型关闭延迟时间:	33.2 ns
典型接通延迟时间:	8.4 ns

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数据表

NXVF6532M3TG01 数据表

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 韩国
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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