650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管

英飞凌650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立式晶体管采用先进技术，可满足高能效应用的需求。英飞凌650晶体管采用尖端微沟槽设计，实现精准控制与高性能。该设计可显著降低组串式逆变器、储能系统 (ESS)、电动汽车充电、工业UPS和焊接等不同行业的损耗、提高效率和功率密度。

结果: 28
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
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集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
数据表
318库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
数据表
318库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
数据表
417库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package
数据表
188库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
数据表
438库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 208 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
数据表
268库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
数据表
317库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 210 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
数据表
1,410库存量
1,200预期 2026/12/17
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
数据表
402库存量
480预期 2026/10/1
最低： 1
倍数： 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
数据表
476库存量
480预期 2026/12/24
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
数据表
680库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
数据表
交货期 40 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
数据表
237库存量
240预期 2027/6/10
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
数据表
232库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 249 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
数据表
162库存量
240预期 2026/11/12
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 341 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
数据表
97库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
数据表
82库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
数据表
149库存量
240预期 2026/10/29
最低： 1
倍数： 1

Si IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
数据表
187库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 3pin package
数据表
27库存量
240预期 2026/11/5
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
数据表
26库存量
480预期 2026/10/1
最低： 1
倍数： 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
数据表
460预期 2026/11/5
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
数据表
480在途量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube