650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管

英飞凌科技650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管采用先进的技术，可满足高效能源应用的需求。英飞凌科技650 V晶体管采用先进的微模式沟槽设计，可实现精确控制和高性能。该设计可显著降低组串式逆变器、储能系统 (ESS)、电动汽车充电、工业UPS和焊接等不同行业的损耗、提高效率和功率密度。

结果: 28
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
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集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
数据表
368库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
数据表
293库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
数据表
721库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
数据表
961库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
数据表
358库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
数据表
435库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
数据表
700库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
数据表
332库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
数据表
无库存交货期 19 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
数据表
27库存量
720在途量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 3pin package
数据表
115库存量
240预期 2026/2/23
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
数据表
362库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
数据表
199库存量
240预期 2026/5/21
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 140 A 427 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
数据表
222库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 208 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
数据表
232库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 249 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
数据表
202库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 341 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
数据表
84库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package
数据表
208库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
数据表
229库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 140 A 429 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
数据表
337库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 210 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
数据表
71库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
数据表
97库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
数据表
110库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
数据表
68库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 338 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
数据表
82库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube