650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
英飞凌科技650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管采用先进的技术，可满足高效能源应用的需求。英飞凌科技650 V晶体管采用先进的微模式沟槽设计，可实现精确控制和高性能。该设计可显著降低组串式逆变器、储能系统 (ESS)、电动汽车充电、工业UPS和焊接等不同行业的损耗、提高效率和功率密度。
英飞凌科技650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管采用先进的技术，可满足高效能源应用的需求。英飞凌科技650 V晶体管采用先进的微模式沟槽设计，可实现精确控制和高性能。该设计可显著降低组串式逆变器、储能系统 (ESS)、电动汽车充电、工业UPS和焊接等不同行业的损耗、提高效率和功率密度。