650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管

英飞凌650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立式晶体管采用先进技术，可满足高能效应用的需求。英飞凌650晶体管采用尖端微沟槽设计，实现精准控制与高性能。该设计可显著降低组串式逆变器、储能系统 (ESS)、电动汽车充电、工业UPS和焊接等不同行业的损耗、提高效率和功率密度。