Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美(onsemi)Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺(结合屏蔽栅极技术)生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化,可最大限度地降低导通电阻,另外还采用出色的软体二极管,可保持卓越的开关性能。

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onsemi MOSFET TRENCH 6 60V NFET 1,347库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET 60V 1.65MOHM T6 SINGLE S08FL 1,200库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET T6-D3F 40V NFET 1,050库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET T6-D3F 40V NFET 1,350库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL 1,350库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO 1,192库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO 1,200库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO 1,337库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET T6-D3F 40V NFET 1,200库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL 1,200库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET T6-D3F 40V NFET 1,350库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET T6-D3F 40V NFET 1,200库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi NVMFS5C426NWFHT1G
onsemi MOSFET T6-D3F 40V NFET 1,200库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET FET 30V 1.2 MOHM PQFN56MP 2,927库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

onsemi MOSFET TRENCH 8 80V LFPAK 5X7 2,920库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

onsemi MOSFET TRENCH 6 60V LFPAK 5X7 2,820库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

onsemi MOSFET NFET SO8FL 40V 200A 43,990库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500
onsemi MOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL 90,534库存量
76,500预期 2026/3/10
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET T6 40V LL 8,807库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET T6 60V HEFET 5,901库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500


onsemi MOSFET T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION 4,239库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

onsemi MOSFET T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION 4,518库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000
onsemi MOSFET AFSM T6 60V SG NCH 3,000库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000
onsemi MOSFET AFSM T6 60V LL U8FL 25,263库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500
onsemi MOSFET T6 40V HEFET 1,350库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500