NTH4L070N120M3S

Name: onsemi NTH4L070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L070N120M3S
Price: 67.86 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTH4L070N120M3S

制造商编号：

NTH4L070N120M3S

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L

数据表:

NTH4L070N120M3S 数据表

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数量	单价	总价
	¥76.6818	¥76.68
	¥48.7143	¥487.14
	¥34.4876	¥3,448.76
	¥34.4085	¥92,902.95
25,200	报价

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	37 A
Rds On-漏源导通电阻:	91 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.4 V
Qg-栅极电荷:	49 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	252 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	11 ns
正向跨导 - 最小值:	9 S
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	12 ns
系列:	NTH4L070N120M3S
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	20 ns
典型接通延迟时间:	10 ns

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数据表

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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