NVH4L022N120M3S碳化硅 (SiC) MOSFET

ON Semiconductor NVH4L022N120M3S碳化硅 (SiC) MOSFET 性能优异,可靠性高于硅型号。ON Semiconductor NVH4L022N120M3S具有低导通电阻,并且其紧凑的芯片尺寸确保了电容和栅极电荷低。系统优势包括效率高、工作频率快、功率密度高、EMI低以及系统尺寸小。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名

onsemi 碳化硅MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L 282库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 151 nC - 55 C + 175 C 352 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET
450预期 2026/4/3
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 57 nC - 55 C + 175 C 160 W Enhancement