NVHL015N065SC1

onsemi
863-NVHL015N065SC1
NVHL015N065SC1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 400

库存：
400 可立即发货
生产周期：
17 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥300.7608 ¥300.76
¥240.7013 ¥2,407.01
¥227.2204 ¥27,266.45

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
163 A
12 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
283 nC
- 55 C
+ 175 C
643 W
Enhancement
EliteSiC
商标: onsemi
配置: Single
组装国: CN
扩散国家: KR
原产国: CN
下降时间: 11 ns
正向跨导 - 最小值: 44 S
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 77 ns
系列: NVHL015N065SC1
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 47 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

M2 EliteSiC MOSFET

安森美M2 EliteSiC MOSFET提供650VMHz、750VMHz和1200V电压选项。安森美M2 MOSFET有多种封装可供选择，包括D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD和TO-247-4LD。MOSFET在设计和实施方面提供了灵活性。此外，M2 EliteSiC MOSFET具有+22V/-8V的最大栅极-源极电压、低RDS(on) 和长短路耐受时间（SCWT）。

NVHL015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美（onsemi）  NVHL015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET采用新技术，具有出色的开关性能和高可靠性。该碳化硅MOSFET采用N沟道，具有高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系统尺寸。NVHL015N065SC1 MOSFET具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，这样确保了低的电容和栅极电荷。该EliteSiC MOSFET经过了100%的UIL测试，并符合AEC−Q101标准。NVHL015N065SC1 MOSFET具有650V漏极−−源极电压和12mohm电阻。典型应用包括汽车牵引逆变器、EV/HEV直流/直流转换器，以及车载充电器。

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