5G射频JFET和LDMOS FET

MACOM 5G射频结型场效应晶体管(JFET)和横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) FET是散热增强型大功率晶体管,用于下一代无线传输。这些器件采用碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术、输入匹配、高效率以及带无耳法兰的散热增强型表面贴装封装。MACOM 5G射频JFET和LDMOS FET非常适合用于多标准蜂窝功率放大器应用。 

半导体类型

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结果: 6
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MACOM GaN 场效应晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 53库存量
剪切带
¥1,785.4113
¥1,518.607
¥1,506.7985
卷轴
¥1,506.7985
最低: 1
倍数: 1
: 50
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz 90库存量
剪切带
¥975.8793
¥815.8261
¥791.7571
卷轴
最低: 1
倍数: 1
: 250
MACOM GaN 场效应晶体管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 17库存量
剪切带
¥1,222.095
¥1,034.063
卷轴
¥985.0662
最低: 1
倍数: 1
: 50
MACOM GaN 场效应晶体管 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
MACOM GaN 场效应晶体管 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
MACOM GaN 场效应晶体管 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
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