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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
- PXAE263708NB-V1-R2
- MACOM
-
1:
¥975.8793
-
90库存量
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Mouser 零件编号
941-PXAE263708NBV1R2
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MACOM
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
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90库存量
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¥975.8793
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¥815.8261
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¥791.7571
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¥791.7571
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最低： 1
倍数： 1
:
250
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GaN 场效应晶体管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
- GTVA262711FA-V2-R0
- MACOM
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1:
¥1,223.9143
-
17库存量
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Mouser 零件编号
941-GTVA262711FAV2R0
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MACOM
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GaN 场效应晶体管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
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17库存量
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¥1,223.9143
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¥985.7668
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¥985.7668
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¥947.8101
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查看
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报价
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最低： 1
倍数： 1
:
50
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GaN 场效应晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
- GTVA262701FA-V2-R0
- MACOM
-
1:
¥1,784.1005
-
53库存量
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Mouser 零件编号
941-GTVA262701FAV2R0
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MACOM
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GaN 场效应晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
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53库存量
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¥1,784.1005
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¥1,506.5386
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¥1,506.5386
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查看
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报价
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最低： 1
倍数： 1
:
50
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
- PXAE263708NB-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥550.3891
-
无库存
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Mouser 零件编号
941-PXAE263708NBV1R0
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MACOM
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
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无库存
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¥550.3891
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¥481.493
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查看
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报价
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最低： 50
倍数： 50
:
50
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GaN 场效应晶体管 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
- GTRA384802FC-V1-R0
- MACOM
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1:
¥2,605.554
-
50库存量
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Mouser 零件编号
941-GTRA384802FCV1R0
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MACOM
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GaN 场效应晶体管 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
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50库存量
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¥2,605.554
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¥1,997.5123
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¥1,997.5123
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查看
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报价
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最低： 1
倍数： 1
:
50
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GaN 场效应晶体管 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
- GTRA362802FC-V1-R0
- MACOM
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1:
¥2,171.295
-
30库存量
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Mouser 零件编号
941-GTRA362802FCV1R0
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MACOM
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GaN 场效应晶体管 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
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30库存量
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¥2,171.295
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¥1,833.538
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¥1,755.0143
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¥1,755.0143
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最低： 1
倍数： 1
:
50
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GaN 场效应晶体管 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
- GTRA362002FC-V1-R0
- MACOM
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1:
¥1,883.2128
-
40库存量
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Mouser 零件编号
941-GTRA362002FCV1R0
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MACOM
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GaN 场效应晶体管 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
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40库存量
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¥1,883.2128
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¥1,601.8089
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¥1,589.2998
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¥1,589.2998
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最低： 1
倍数： 1
:
50
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GaN 场效应晶体管 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
- GTRA364002FC-V1-R0
- MACOM
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1:
¥2,458.767
-
40库存量
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Mouser 零件编号
941-GTRA364002FCV1R0
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MACOM
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GaN 场效应晶体管 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
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40库存量
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¥2,458.767
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¥2,118.3997
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¥2,016.0895
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¥2,016.0895
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最低： 1
倍数： 1
:
50
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