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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
- PXAE263708NB-V1-R2
- MACOM
-
1:
¥950.4091
-
90库存量
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Mouser 零件编号
941-PXAE263708NBV1R2
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MACOM
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
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90库存量
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¥950.4091
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¥798.3789
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¥719.7987
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¥719.7987
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报价
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最低： 1
倍数： 1
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GaN 场效应晶体管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
- GTVA262711FA-V2-R0
- MACOM
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1:
¥1,199.156
-
17库存量
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Mouser 零件编号
941-GTVA262711FAV2R0
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MACOM
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GaN 场效应晶体管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
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17库存量
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¥1,199.156
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¥966.1387
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¥966.1387
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¥918.8934
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报价
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最低： 1
倍数： 1
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GaN 场效应晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
- GTVA262701FA-V2-R0
- MACOM
-
1:
¥1,747.1043
-
53库存量
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Mouser 零件编号
941-GTVA262701FAV2R0
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MACOM
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GaN 场效应晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
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53库存量
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¥1,747.1043
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¥1,488.9897
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¥1,488.9897
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报价
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最低： 1
倍数： 1
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
- PXAE263708NB-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥501.2567
-
无库存
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Mouser 零件编号
941-PXAE263708NBV1R0
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MACOM
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
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无库存
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¥501.2567
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¥447.2427
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最低： 50
倍数： 50
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GaN 场效应晶体管 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
- GTRA384802FC-V1-R0
- MACOM
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1:
¥2,551.5287
-
50库存量
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Mouser 零件编号
941-GTRA384802FCV1R0
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MACOM
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GaN 场效应晶体管 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
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50库存量
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¥2,551.5287
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¥1,798.96
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¥1,798.96
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报价
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最低： 1
倍数： 1
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GaN 场效应晶体管 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
- GTRA362002FC-V1-R0
- MACOM
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1:
¥1,842.7249
-
40库存量
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Mouser 零件编号
941-GTRA362002FCV1R0
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MACOM
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GaN 场效应晶体管 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
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40库存量
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¥1,842.7249
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¥1,299.2175
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¥1,299.2175
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报价
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最低： 1
倍数： 1
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GaN 场效应晶体管 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
- GTRA362802FC-V1-R0
- MACOM
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1:
¥2,126.2984
-
30库存量
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Mouser 零件编号
941-GTRA362802FCV1R0
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MACOM
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GaN 场效应晶体管 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
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30库存量
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¥2,126.2984
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¥1,499.1597
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¥1,499.1597
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报价
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最低： 1
倍数： 1
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GaN 场效应晶体管 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
- GTRA364002FC-V1-R0
- MACOM
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1:
¥2,415.3411
-
40库存量
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Mouser 零件编号
941-GTRA364002FCV1R0
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MACOM
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GaN 场效应晶体管 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
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40库存量
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¥2,415.3411
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¥1,993.0714
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¥1,993.0714
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报价
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最低： 1
倍数： 1
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