CoolGaN™ 600V GIT HEMT

英飞凌科技CoolGaN™ 600V栅极注入技术 (GIT) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有快速导通和关断速度，开关损耗最小。这些GaN增强型功率晶体管采用ThinPAK 5x6 表面贴装封装，非常适合需要不带散热器的紧凑型设备应用。英飞凌CoolGaN™ 600V GIT HEMT具有5mm x 6mm² 的小尺寸和1mm的低高度，是实现高功率密度的理想之选。