碳化硅MOSFET

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MXP120A MaxSiC™ 1200V N沟道MOSFET

Vishay Semiconductors MXP120A MaxSiC™ 1200V N沟道MOSFET具有1200V漏极-源极电压、快速切换速度和3μs短路耐受时间。此系列MOSFET还具有56W至268W的最大功率耗散 (Tc=25°C) 和10.5A至52A的漏极连续电流 (Tc=25°C)。MXP120A MaxSiC™ 1200V N沟道MOSFET无卤素，采用TO-247 3L、TO-247 4L和TO-263 7L封装。此系列MOSFET用于充电器、辅助电机驱动器和直流-直流转换器。

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	数量	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式
碳化硅MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET MXP120A045SE-T1GE3 Vishay Semiconductors 受限供货情况新产品	制造商零件编号 MXP120A045SE-T1GE3 Mouser 零件编号 78-MXP120A045S-T1GE3 新产品	Vishay Semiconductors	碳化硅MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET 了解更多关于Vishay Semiconductors vishay mxp120a n channel mosfets 的信息	数据表	更多信息可用	受限供货情况	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	1.2 kV	52 A	56 mOhms	- 10 V, 22 V	2.8 V	82 nC	- 55 C	+ 175 C	268 W	Enhancement
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碳化硅MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET MXP120A045SW-GE3 Vishay Semiconductors 受限供货情况新产品	制造商零件编号 MXP120A045SW-GE3 Mouser 零件编号 78-MXP120A045SW-GE3 新产品	Vishay Semiconductors	碳化硅MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET 了解更多关于Vishay Semiconductors vishay mxp120a n channel mosfets 的信息	数据表	更多信息可用	受限供货情况	Through Hole	TO-247AD-3	N-Channel	1 Channel	1.2 kV	51 A	56 mOhms	- 10 V, 22 V	2.8 V	84 nC	- 55 C	+ 175 C	254 W	Enhancement
碳化硅MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET MXP120A063SE-T1GE3 Vishay Semiconductors 受限供货情况新产品	制造商零件编号 MXP120A063SE-T1GE3 Mouser 零件编号 78-MXP120A063S-T1GE3 新产品	Vishay Semiconductors	碳化硅MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET 了解更多关于Vishay Semiconductors vishay mxp120a n channel mosfets 的信息	数据表	更多信息可用	受限供货情况	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	1.2 kV	41 A	79 mOhms	- 10 V, 22 V	2.9 V	58 nC	- 55 C	+ 175 C	221 W	Enhancement
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