MXP120A MaxSiC™ 1200V N沟道MOSFET

Vishay Semiconductors MXP120A MaxSiC™ 1200V N沟道MOSFET具有1200V漏源电压、快速开关速度和3μs短路耐受时间。这些MOSFET还具有139W至227W最大功率耗散（Tc=25°C）和29A至49A漏极连续电流（Tc=25°C）。MXP120A MaxSiC™ 1200V N沟道MOSFET不含卤素，采用TO-247 3L或TO-247 4L封装。这些MOSFET用于充电器、辅助电机驱动器和DC-DC 转换器。

结果: 5
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
Vishay Semiconductors 碳化硅MOSFET 1200-V N-CHANNEL (SIC) MOSFET
数据表
2,313库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.69 V 47.3 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors 碳化硅MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
数据表
无库存交货期 57 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, + 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors 碳化硅MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
数据表
无库存交货期 57 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, + 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors 碳化硅MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
数据表
无库存交货期 57 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 10.5 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors 碳化硅MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 10.5 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement MaxSIC