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EPC2304

Name: EPC EPC2304
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2304
Price: 66.25 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

65-EPC2304

制造商编号：

EPC2304

制造商：

EPC

说明：

GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN

寿命周期:

Mouser 的新产品

数据表:

EPC2304 数据表 (PDF)

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数量	单价	总价
	¥74.8625	¥74.86
	¥51.0308	¥510.31
	¥37.6403	¥3,764.03
	¥37.3917	¥18,695.85
	¥32.6683	¥32,668.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥30.4422	¥91,326.60

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	EPC
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	FCQFN-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	200 V
Id-连续漏极电流:	133 A
Rds On-漏源导通电阻:	5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	6 V, - 4 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	21 nC
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
通道模式:	Enhancement
商标名:	eGaN FET
商标:	EPC
配置:	Single
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	Power Transistor
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	31.500 mg

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数据表

EPC2304 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2304 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is designed to handle tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous, as well as those where on-state losses dominate. This eGaN^® FET offers exceptionally high electron mobility and low temperature coefficient, allowing low drain-source on resistance R_DS(on) of 3.5mΩ typical and 5mΩ maximum. The EPC2304's lateral device structure and majority carrier diode provide exceptionally low total gate charge (Q_G) and zero reverse recovery (Q_RR) losses. This 200V_DS power transistor from EPC comes in an ultra-small 3mm x 5mm QFN package for higher power density.